메모리 종류와 분류, RAM ROM 분류 비교 (반도체 flash, dram 블록)
메모리 종류 및 분류
메모리 종류 1. SRAM (Static Random Access Memory)
- 기본적으로 래치(latch)에 데이터를 저장
- 전원이 공급되는 동안 래치에 저장된 데이터가 계속 유지
메모리 종류 2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
- 커패시터(capacitor)에 충전된 전하(charge)를 이용하여 저장
- 시간이 지나면 전하가 방전되므로 데이터 유지를 위해 재충전 (refresh)가 필요
메모리 종류 3. ROM (Read Only Memory)
- 비휘발성 반도체 저장장치
- 플래시메모리(flash memory)
: RAM처럼 읽고 쓰기가 쉬우면서 ROM처럼 비휘발성임
메모리 종류
IC 메모리 종류
메모리 종류
SRAM (Static Random Access Memory)
- ASRAM (Asynchronous SRAM)
- SSRAM (Synchronous SRAM)
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
- FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)
- EDORAM (Extended Data Out Random Access Memory)
- SDRAM (Synchronous DRAM)
- RDRAM (Rambus DRAM)
- DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM)
ROM (Read Only Memory)
- PROM (Programmable ROM)
- EPROM (Erasable Programmable ROM)
- EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)
- FLASH
메모리 – SRAM 블록도
메모리 종류 SRAM
ASRAM (Asynchronous SRAM)
- 출력이 클럭에 동기되지 않고 사용됨
- 386시절부터 쓰던 메모리로서 지금은 L2캐시로 주로 이용
SSRAM (Synchronous SRAM)
- 출력이 클럭에 동기되어 사용됨
- 버스트 (Burst) 동작
: 한 개의 주소를 입력받아서 4개까지의 연속된 데이터를 계속 사용
: 한 클록 사이클 만에 4개 데이터 사용 가능
메모리 – DRAM 블록도
메모리 종류 – DRAM
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)
- 초창기 DRAM, FPM 램은 60~120ns의 접근 속도
- 펜티엄 PC가 나온 뒤 갑자기 사라진 이유는, 펜티엄의 버스구조가 66MHz로 FPM 램(30MHz)보다 빨랐기 때문이다
EDO DRAM (Extended Data Output DRAM)
- 메모리의 특정 주소를 호출할 때 그 근처에 있는 주소까지 함께 읽어 순차적 읽기 속도를 개선
- FPM RAM보다 40% 정도 개선
- 펜티엄 프로세서용 메모리 사용
- 80MB/s 전송률
SDRAM (Synchronous DRAM)
- 시스템 클럭의 속도에 동기화해서 (맞추어서) 메모리의 데이터를 읽고 쓸 수 있게 만든 DRAM
- 펜티엄 II 프로세서용 메모리 사용
- 6-12ns 접근속도, 133MB/s 전송률
메모리 종류 – DRAM
RDRAM (Rambus DRAM)
- 미국의 램버스사가 개발한 메모리
- "Rambus 채널"로 접속된 DRAM
- 이 채널은 9bit의 버스를 이용하고 클럭 250MHz에 동기화해 데이터를 전송, 400MB/s 전송률
DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM)
- 시스템 클럭의 상승, 하강 에지 모두에서 출력
- 한 번에 두 개의 정보를 주고받을 수 있게 함으로써 기존 메모리 속도를 배로 늘리도록 설계
메모리 종류 – Modules
SIMM (Single Inline Memory Module)
- 메모리 칩들이 하나의 카드 형태로 구성되어 컴퓨터 시스템의 기판에 있는 슬롯에 연결
- 5V, 단면기판사용, EDORAM, SDRAM 사용
- 30-pin SIMM: transfer data 8-bits at a time
- 72-pin SIMM: transfer data 32-bits at a time
DIMM (Dual Inline Memory Module)
- 3.3V, 양면 기판 사용, SDRAM만 사용됨
- 168-pin DIMM
- Transfer 64-bits at a time
메모리 종류 – Module; How to read
메모리 종류 – ROM 개요
비휘발성 메모리
- 전원이 off 되어도 데이터가 지워지지 않는 메모리
- 종류
: Mask ROM (Read Only Memory)
- 제조회사가 고객이 원하는 데이터를 공장에서 Mask를 만들어서 ROM을 제작
: PROM (programmable ROM)
- 각 cell이 FUSE로 제작되어 사용자가 한번 프로그래밍
: EPROM (erasable programmable ROM)
- 자외선으로 프로그램 지우고, 재프로그래밍 가능
: EEPROM (electrically erasable programmable ROM)
- 자외선이 아닌 전기적인 신호로 프로그램 지움
: Flash Memory
메모리 종류 – FLASH
특징
- RAM처럼 읽고 쓰기가 쉬우면서 ROM처럼 비휘발성임
- 쓰기는 대략 수 ms가 걸리며 읽기는 70~100ns가 소요됨
용도
- 주기억장치 & 보조기억장치
주기억장치로서의 장점
- 전원이 차단되어도 데이터가 보존된다. (비휘발성)
- 저전력소모, 고속, 소형
EPROM |
+ |
EEPROM |
= |
Flash Memory |
*Dual Power(5V and 12V) *Removeal by ultra violet *1Tr1Cell |
|
*Single Power(3.3V or 5V) *removal by electricity *2Tr1Cell |
|
*Single or Dual Power *removal by electricity *1Tr1Cell |
메모리 – FLASH 보조기억장치
목적
- 보조기억장치로서의 플래쉬
- CDROM, Floppy Disk 대용
장점
데이터 저장이 쉬우며 오래 보존할 수 있다
단점
- 비쌈
- CD : 0.15 cents per Mbyte
- SDRAM : 11 cents per Mbyte
- Flash : 70 cents per Mbyte
메모리 – FLASH: 종류
메모리 – FLASH: 비교
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